مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IRF9Z14LPBF
Product Overview
کارخانہ دار:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IRF9Z14LPBF-DG
تفصیل:
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
تفصیلی وضاحت:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I2PAK
اِنویٹری:
13048953
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
3Bss
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IRF9Z14LPBF تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Vishay
پیکنگ
Tube
سلسلہ
-
پیکیجنگ
Tube
حصہ کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
P-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
60 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
6.7A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
500mOhm @ 4A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
270 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
I2PAK
پیکج / کیس
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IRF9Z14
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
دیگر نام
*IRF9Z14LPBF
معیاری پیکیج
1,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IRF730AS
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRFBE20PBF
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
IRFPC50LC
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
