SQJ850EP-T2_GE3
مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:

SQJ850EP-T2_GE3

Product Overview

کارخانہ دار:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics پارٹ نمبر:

SQJ850EP-T2_GE3-DG

تفصیل:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 60 V 24A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

اِنویٹری:

8890 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12977850
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو

SQJ850EP-T2_GE3 تکنیکی وضاحتیں

زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Vishay
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
60 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
24A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
4.5V, 10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
23mOhm @ 10.3A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
2.5V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
1225 pF @ 30 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
45W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PowerPAK® SO-8
پیکج / کیس
PowerPAK® SO-8

ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات

Datasheets

اضافی معلومات

دیگر نام
742-SQJ850EP-T2_GE3TR
742-SQJ850EP-T2_GE3CT
742-SQJ850EP-T2_GE3DKR
معیاری پیکیج
3,000

ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی

آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
vishay-siliconix

SIHP15N50E-BE3

N-CHANNEL 500V

vishay-siliconix

SI2366DS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHP7N60E-BE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SQJ860EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET