مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
SIRA18DP-T1-RE3
Product Overview
کارخانہ دار:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
SIRA18DP-T1-RE3-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
اِنویٹری:
12966431
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
SIRA18DP-T1-RE3 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Vishay
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
TrenchFET®
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
30 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
33A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
4.5V, 10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
7.5mOhm @ 10A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
2.4V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
1000 pF @ 15 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
14.7W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PowerPAK® SO-8
پیکج / کیس
PowerPAK® SO-8
بنیادی مصنوعات کا نمبر
SIRA18
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
3,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
SI8424DB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
PJA3432-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
MSJW20N65-BP
MOSFET N-CH TO247
