مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IRFPG50PBF
Product Overview
کارخانہ دار:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IRFPG50PBF-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
اِنویٹری:
127 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12959907
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
CLO2
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IRFPG50PBF تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Vishay
پیکنگ
Tube
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
1000 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
6.1A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
2Ohm @ 3.6A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
2800 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
190W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247AC
پیکج / کیس
TO-247-3
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IRFPG50
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
دیگر نام
*IRFPG50PBF
معیاری پیکیج
25
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI1012X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
SI3456CDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
