مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IRFDC20PBF
Product Overview
کارخانہ دار:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IRFDC20PBF-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
اِنویٹری:
5886 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12908571
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IRFDC20PBF تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Vishay
پیکنگ
Tube
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
600 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
320mA (Ta)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
4.4Ohm @ 190mA, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
1W (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
4-HVMDIP
پیکج / کیس
4-DIP (0.300", 7.62mm)
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IRFDC20
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
دیگر نام
*IRFDC20PBF
معیاری پیکیج
100
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IXFK120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IRF9630SPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
IRFR214TRRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
