مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
کارخانہ دار:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
TPN4R303NL,L1Q-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
اِنویٹری:
4115 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12890048
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
0s35
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
TPN4R303NL,L1Q تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
U-MOSVIII-H
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
30 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
40A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
4.5V, 10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
4.3mOhm @ 20A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
2.3V @ 200µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
14.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
1400 pF @ 15 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
700mW (Ta), 34W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
8-TSON Advance (3.1x3.1)
پیکج / کیس
8-PowerVDFN
بنیادی مصنوعات کا نمبر
TPN4R303
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
دیگر نام
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
معیاری پیکیج
5,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
RoHS Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK6A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
2SJ438(AISIN,A,Q)
MOSFET P-CH TO220NIS