مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
TK7Q60W,S1VQ
Product Overview
کارخانہ دار:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
TK7Q60W,S1VQ-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 600 V 7A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
اِنویٹری:
75 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12890596
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
CXZO
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
TK7Q60W,S1VQ تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
پیکنگ
Tube
سلسلہ
DTMOSIV
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
600 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
7A (Ta)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
600mOhm @ 3.5A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
3.7V @ 350µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
490 pF @ 300 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
60W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
I-PAK
پیکج / کیس
TO-251-3 Stub Leads, IPak
بنیادی مصنوعات کا نمبر
TK7Q60
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
دیگر نام
TK7Q60W,S1VQ(S
TK7Q60WS1VQ
معیاری پیکیج
75
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
BSS123ATA
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
TPCA8008-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
TPC8026(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
