مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
TK42A12N1,S4X
Product Overview
کارخانہ دار:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
TK42A12N1,S4X-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 120 V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
اِنویٹری:
250 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12891201
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
UAZh
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
TK42A12N1,S4X تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
پیکنگ
Tube
سلسلہ
U-MOSVIII-H
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
120 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
42A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
9.4mOhm @ 21A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 1mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
3100 pF @ 60 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
35W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220SIS
پیکج / کیس
TO-220-3 Full Pack
بنیادی مصنوعات کا نمبر
TK42A12
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
دیگر نام
TK42A12N1S4X
TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-DG
Q10136417
معیاری پیکیج
50
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
