مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Product Overview
کارخانہ دار:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ-DG
تفصیل:
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
تفصیلی وضاحت:
P-Channel 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
اِنویٹری:
1612 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12889380
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
VDkN
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
TJ60S04M3L(T6L1,NQ تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
U-MOSVI
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
P-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
40 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
60A (Ta)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
6V, 10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
6.3mOhm @ 30A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
3V @ 1mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
6510 pF @ 10 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
90W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
175°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
DPAK+
پیکج / کیس
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
بنیادی مصنوعات کا نمبر
TJ60S04
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
دیگر نام
TJ60S04M3L(T6L1NQ
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR
TJ60S04M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S04M3LT6L1NQ
معیاری پیکیج
2,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
SSM6K411TU(TE85L,F
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
SSM3J338R,LF
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
2SK3662(F)
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
