مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
US6M2GTR
Product Overview
کارخانہ دار:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
US6M2GTR-DG
تفصیل:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
تفصیلی وضاحت:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
اِنویٹری:
13526172
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
US6M2GTR تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), ایف ای ٹی، MOSFET اریوں
کارخانہ دار
ROHM Semiconductor
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
تشکیل
N and P-Channel
FET Feature
-
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
30V, 20V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
1.5A, 1A
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
طاقت - میکس
1W
آپریٹنگ درجہ حرارت
150°C
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
پیکج / کیس
6-SMD, Flat Leads
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TUMT6
بنیادی مصنوعات کا نمبر
US6M2
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
دیگر نام
US6M2GDKR
US6M2GCT
معیاری پیکیج
3,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8