مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
R6007JNXC7G
Product Overview
کارخانہ دار:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
R6007JNXC7G-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
اِنویٹری:
2019 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
13527079
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
R6007JNXC7G تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
ROHM Semiconductor
پیکنگ
Tube
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
600 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
7A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
15V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
780mOhm @ 3.5A, 15V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
7V @ 1mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
17.5 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
475 pF @ 100 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
46W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220FM
پیکج / کیس
TO-220-3 Full Pack
بنیادی مصنوعات کا نمبر
R6007
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
50
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
R8008ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252