ہوم
مصنوعات
مینوفیکچررز
کے بارے میں DiGi
ہم سے رابطہ کریں
بلاگ اور مضامین
قیمت طلب کریں / اقتباس
Pakistan
لاگ ان کریں
انتخابی زبان
آپ کی پسند کی موجودہ زبان:
Pakistan
سوئچ:
انگريزی
یورپ
يونائٹڈ کنگڈم
فرانس
سپين
ترکی
مولڈووا
لتھونيا
ناروے
جرمنی
پرتگال
سلووکيا
ltaly
فن لينڈ
رشئن
بلگريہ
ڈين مارک
ايسٹونيا
پولينڈ
يوکرين
سلوونيا
کزکھ
يونانی
کوٹيئا
اسرائيل
سربيا
بيلارس
نيدرلينڈز
سوئيڈن
مونٹینیگرو
باسيق
آئس لينڈ
بوسنیا
ہنگرين
رومانيا
آسٹريا
بلجيم
آئرلينڈ
ایشیا / بحر الکاہل
چین
ویتنام
انڈونيشيا
تھائ لينڈ
لاؤس
فليپينو
مليشيا
کوريا
جاپان
HongKong
تائوان
سنگاپور
پاکستان
سعديہ اريبيہ
قطر
کوويت
کمبوڈیا
میانمار
افریقہ، بھارت اور مشرق وسطی
متحدہ عرب امارات
تاجکستان
مڈغاسکر
ہندوستان
ايران
ڈی آر کانگو
جنوبی افريکا
مصر
کينيا
تنزانیہ
گھانا
سینیگال
موروکو
تنيزيا
جنوبی امریکہ / اوقیانوسیہ
نيوزیلينڈ
انگولا
برازيل
موزمبیق
پرو
کولمبيئہ
چلی
وينيزؤلا
ايکئواڈور
بولوئا
يوروگۓ
ارجنٹينا
پاراکوۓ
آسٹريليا
شمالی امریکہ
يونائٹڈ سٹيٹس
ہیٹی
کينڈا
کوسٹا ريکا
ميکسکو
کے بارے میں DiGi
ہمارے بارے میں
ہمارے بارے میں
ہمارا سرٹیفیکیشن
تعارف
کیوں DiGi
پالیسی
معیار کی پالیسی
استعمال کی شرائط
RoHS تعمیل
واپسی کا عمل
وسائل
پروڈکٹ کے زمرے
مینوفیکچررز
بلاگ اور مضامین
خدمات
معیاری گارنٹی
ادائیگی کا طریقہ
عالمی ترسیل
ترسیل کے نرخ
عمومی سوالات
مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
PJD4NA60_L2_00001
Product Overview
کارخانہ دار:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
PJD4NA60_L2_00001-DG
تفصیل:
600V N-CHANNEL MOSFET
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 600 V 4A (Ta) 77W (Tc) Surface Mount TO-252
اِنویٹری:
آن لائن آر ایف کیو
12972555
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
*
کمپنی
*
رابطہ نام
*
فون
*
ای میل
ترسیل کا پتہ
پیغام
c
t
U
W
(
*
) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
PJD4NA60_L2_00001 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
PANJIT
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Not For New Designs
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
600 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
4A (Ta)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
2.4Ohm @ 2A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
11.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
450 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
77W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-252
پیکج / کیس
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
بنیادی مصنوعات کا نمبر
PJD4NA60
اضافی معلومات
دیگر نام
3757-PJD4NA60_L2_00001TR
3757-PJD4NA60_L2_00001DKR
3757-PJD4NA60_L2_00001CT
معیاری پیکیج
3,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
NVH4L045N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
PJD50N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJP10NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJD45P04-AU_L2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M