مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
FQA16N25C
Product Overview
کارخانہ دار:
onsemi
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
FQA16N25C-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 250 V 17.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P
اِنویٹری:
12849669
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
uueV
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
FQA16N25C تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
onsemi
پیکنگ
-
سلسلہ
QFET®
مصنوعات کی حیثیت
Obsolete
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
250 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
17.8A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
270mOhm @ 8.9A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
53.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
1080 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
180W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-3P
پیکج / کیس
TO-3P-3, SC-65-3
بنیادی مصنوعات کا نمبر
FQA1
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
ایچ ٹی ایم ایل ڈیٹا شیٹ
ڈیٹا شیٹس
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
450
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
FDC640P_F095
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
FQP11N40
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4