مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
FDMD8900
Product Overview
کارخانہ دار:
onsemi
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
FDMD8900-DG
تفصیل:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
تفصیلی وضاحت:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
اِنویٹری:
12836397
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
eVRA
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
FDMD8900 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), ایف ای ٹی، MOSFET اریوں
کارخانہ دار
onsemi
پیکنگ
-
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Obsolete
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
تشکیل
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
30V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
19A, 17A
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
4mOhm @ 19A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
2.5V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
35nC @ 10V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
2605pF @ 15V
طاقت - میکس
2.1W
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
پیکج / کیس
12-PowerWDFN
سپلائر ڈیوائس پیکیج
12-Power3.3x5
بنیادی مصنوعات کا نمبر
FDMD89
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
دیگر نام
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
معیاری پیکیج
3,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
