مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
TP2535N3-G
Product Overview
کارخانہ دار:
Microchip Technology
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
TP2535N3-G-DG
تفصیل:
MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
تفصیلی وضاحت:
P-Channel 350 V 86mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
اِنویٹری:
697 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12868564
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
TP2535N3-G تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Microchip Technology
پیکنگ
Bag
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
P-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
350 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
86mA (Tj)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
4.5V, 10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
25Ohm @ 100mA, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
125 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
740mW (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-92-3
پیکج / کیس
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
بنیادی مصنوعات کا نمبر
TP2535
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
1,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
BSS123-TP
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
IRF540SPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFP31N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3