مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
MSCSM170HRM075NG
Product Overview
کارخانہ دار:
Microchip Technology
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
MSCSM170HRM075NG-DG
تفصیل:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
تفصیلی وضاحت:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 337A (Tc), 317A (Tc) 1.492kW (Tc) Chassis Mount
اِنویٹری:
12962333
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
MSCSM170HRM075NG تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), ایف ای ٹی، MOSFET اریوں
کارخانہ دار
Microchip Technology
پیکنگ
Bulk
سلسلہ
-
مصنوعات کی حیثیت
Active
ٹیکنالوجی
Silicon Carbide (SiC)
تشکیل
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
337A (Tc), 317A (Tc)
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
7.5mOhm @ 180A, 20V, 7.8mOhm @ 160A, 20V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
3.2V @ 15mA, 2.8V @ 12mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
1068nC @ 20V, 928nC @ 20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
19800pF @ 1000V, 12100pF @ 1000V
طاقت - میکس
1.492kW (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-40°C ~ 175°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Chassis Mount
پیکج / کیس
Module
سپلائر ڈیوائس پیکیج
-
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
دیگر نام
150-MSCSM170HRM075NG
معیاری پیکیج
1
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
SI7540DP-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO8
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
FS03MR12A6MA1LB
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
