مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
VMO550-01F
Product Overview
کارخانہ دار:
IXYS
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
VMO550-01F-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 100 V 590A (Tc) 2200W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
اِنویٹری:
12821585
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
VMO550-01F تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Littelfuse
پیکنگ
-
سلسلہ
HiPerFET™
مصنوعات کی حیثیت
Obsolete
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
100 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
590A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
2.1mOhm @ 500mA, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
6V @ 110mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
2000 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
50000 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
2200W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-40°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Chassis Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
Y3-DCB
پیکج / کیس
Y3-DCB
بنیادی مصنوعات کا نمبر
VMO550
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
2
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
