مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IXTR32P60P
Product Overview
کارخانہ دار:
IXYS
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IXTR32P60P-DG
تفصیل:
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
تفصیلی وضاحت:
P-Channel 600 V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
اِنویٹری:
12820296
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IXTR32P60P تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Littelfuse
پیکنگ
Tube
سلسلہ
PolarP™
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
P-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
600 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
18A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
385mOhm @ 16A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 1mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
196 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
11100 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
310W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
ISOPLUS247™
پیکج / کیس
TO-247-3
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IXTR32
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
30
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IXTA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFN24N100
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA