مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IXTQ50N20P
Product Overview
کارخانہ دار:
IXYS
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IXTQ50N20P-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
اِنویٹری:
12820131
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IXTQ50N20P تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Littelfuse
پیکنگ
Tube
سلسلہ
Polar
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
200 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
50A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
60mOhm @ 50A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
5V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
2720 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
360W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-3P
پیکج / کیس
TO-3P-3, SC-65-3
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IXTQ50
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
ایچ ٹی ایم ایل ڈیٹا شیٹ
ڈیٹا شیٹس
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
30
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IXFR26N120P
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
IXFB132N50P3
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
IXFC52N30P
MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
