مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IXTP6N50D2
Product Overview
کارخانہ دار:
IXYS
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IXTP6N50D2-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
اِنویٹری:
2275 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12821562
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IXTP6N50D2 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Littelfuse
پیکنگ
Tube
سلسلہ
Depletion
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
500 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
6A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
-
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
500mOhm @ 3A, 0V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
-
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
96 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
2800 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220-3
پیکج / کیس
TO-220-3
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IXTP6
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
50
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IXFH13N80
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
IXTH10P60
MOSFET P-CH 600V 10A TO247
IXFH30N85X
MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
