مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IXTP52P10P
Product Overview
کارخانہ دار:
IXYS
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IXTP52P10P-DG
تفصیل:
MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
تفصیلی وضاحت:
P-Channel 100 V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
اِنویٹری:
415 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12903274
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IXTP52P10P تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Littelfuse
پیکنگ
Tube
سلسلہ
PolarP™
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
P-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
100 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
52A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
50mOhm @ 52A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4.5V @ 250µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
2845 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Through Hole
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220-3
پیکج / کیس
TO-220-3
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IXTP52
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
50
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
FDZ209N
MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
IXFH30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
DMP1070UCA3-7
MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
