مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IXFN82N60Q3
Product Overview
کارخانہ دار:
IXYS
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IXFN82N60Q3-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
اِنویٹری:
50 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12821952
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
r6Vm
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IXFN82N60Q3 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Littelfuse
پیکنگ
Tube
سلسلہ
HiPerFET™, Q3 Class
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
600 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
66A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
75mOhm @ 41A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
6.5V @ 8mA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
275 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
13500 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
960W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Chassis Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
SOT-227B
پیکج / کیس
SOT-227-4, miniBLOC
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IXFN82
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
معیاری پیکیج
10
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
IXFN210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
IXFC22N60P
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
