مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
IPB17N25S3100ATMA1
Product Overview
کارخانہ دار:
Infineon Technologies
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
IPB17N25S3100ATMA1-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
اِنویٹری:
1583 پی سیز نئے اصل اسٹاک میں ہیں
12801077
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
xgZY
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
IPB17N25S3100ATMA1 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Infineon Technologies
پیکنگ
Tape & Reel (TR)
سلسلہ
OptiMOS™
مصنوعات کی حیثیت
Active
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
250 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
17A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
100mOhm @ 17A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
4V @ 54µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
1500 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
107W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجہ
Automotive
قابلیت
AEC-Q101
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PG-TO263-3-2
پیکج / کیس
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
بنیادی مصنوعات کا نمبر
IPB17N25
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
Datasheets
ایچ ٹی ایم ایل ڈیٹا شیٹ
ڈیٹا شیٹس
اضافی معلومات
دیگر نام
448-IPB17N25S3100ATMA1CT
448-IPB17N25S3100ATMA1TR
SP000876560
IPB17N25S3100ATMA1-DG
448-IPB17N25S3100ATMA1DKR
معیاری پیکیج
1,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
آر او ایچ ایس کی حیثیت
ROHS3 Compliant
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPA80R310CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
