مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
کارخانہ دار:
Infineon Technologies
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
BSP322PL6327HTSA1-DG
تفصیل:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
تفصیلی وضاحت:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
اِنویٹری:
12801032
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
BSP322PL6327HTSA1 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Infineon Technologies
پیکنگ
-
سلسلہ
SIPMOS®
مصنوعات کی حیثیت
Obsolete
ایف ای ٹی قسم
P-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
100 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
1A (Tc)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
4.5V, 10V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
800mOhm @ 1A, 10V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
1V @ 380µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
372 pF @ 25 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
1.8W (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PG-SOT223-4-21
پیکج / کیس
TO-261-4, TO-261AA
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
ایچ ٹی ایم ایل ڈیٹا شیٹ
ڈیٹا شیٹس
اضافی معلومات
دیگر نام
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
معیاری پیکیج
1,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
متبادل ماڈل
پارٹ نمبر
BSP322PH6327XTSA1
مینوفیکچرر
Infineon Technologies
دستیاب مقدار
3053
پارٹ نمبر
BSP322PH6327XTSA1-DG
یونٹ قیمت
0.28
متبادل قسم
Parametric Equivalent
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3